PMPB14R0EPX

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMPB14R0EPX

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DFN2020MD-6

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Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	227 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package	DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMPB14