PMXB56ENZ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMXB56ENZ

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DFN1010D-3

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package	DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Package / Case	3-XDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMXB56