PSMN1R1-30YLEX

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PSMN1R1-30YLEX

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LFPAK56, Power-SO8

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Beschreibung:

PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.26mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	192W (Ta)
Package / Case	SC-100, SOT-669
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	265A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PSMN1