PSMN1R9-80SSEJ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PSMN1R9-80SSEJ

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LFPAK88 (SOT1235)

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Beschreibung:

APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	232 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	340W (Ta)
Package / Case	SOT-1235
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	286A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PSMN1R9