PSMN3R4-30BL,118

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

PSMN3R4-30BL,118

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D2PAK

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NOW NEXPERIA PSMN3R4-30BL - 100A

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3907 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	NXP USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk