PU1DLSH

Taiwan Semiconductor Corporation

Produkt-Nr.:

PU1DLSH

Hersteller:

Paket:

SOD-123HE

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123HE

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	25 ns
Capacitance @ Vr, F	19pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	SOD-123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr	2 µA @ 200 V
Series	-
Package / Case	SOD-123H
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	930 mV @ 1 A
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	1A