R6006JNJGTL

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R6006JNJGTL

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LPTS

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MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	410 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	936mOhm @ 3A, 15V
Supplier Device Package	LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 800µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	86W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R6006