R6009RND3TL1

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R6009RND3TL1

Hersteller:

Paket:

TO-252

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2680

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	640 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	665mOhm @ 4.5A, 15V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 5.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R6009