R6076ENZ4C13

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R6076ENZ4C13

Hersteller:

Paket:

TO-247

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 44.4A, 10V
Supplier Device Package	TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	735W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	76A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	R6076