R6509ENJTL

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R6509ENJTL

Hersteller:

Paket:

LPTS

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MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	585mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package	LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 230µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R6509