R6511END3TL1

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R6511END3TL1

Hersteller:

Paket:

TO-252

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 320µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	124W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R6511