R6520KNZ4C13

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R6520KNZ4C13

Hersteller:

Paket:

TO-247

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 20A TO247

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 419

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 630µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	231W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	R6520