R8002KND3TL1

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

R8002KND3TL1

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Paket:

TO-252GE

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Datenblatt:

Beschreibung:

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2Ohm @ 800mA, 10V
Supplier Device Package	TO-252GE
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 150µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R8002