RCJ331N25TL

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RCJ331N25TL

Hersteller:

Paket:

TO-263S

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.56W (Ta), 211W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RCJ331