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RF1S23N06LE

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

RF1S23N06LE

Hersteller:

Harris Corporation

Paket:

I2PAK (TO-262)

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 23A, 5V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series -
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Vgs (Max) ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Package Bulk