RF4L055GNTCR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RF4L055GNTCR

Hersteller:

Paket:

HUML2020L8

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Package / Case	8-PowerUDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RF4L055