RFB18N10CS

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

RFB18N10CS

Hersteller:

Paket:

TO-220AB-5

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	Current Sensing
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB-5
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	79W (Tc)
Package / Case	TO-220-5
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Bulk