RFD16N05L

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

RFD16N05L

Hersteller:

Paket:

TO-251AA

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Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47mOhm @ 16A, 5V
Supplier Device Package	TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Package	Bulk