RFD3055LESM9A

onsemi

Produkt-Nr.:

RFD3055LESM9A

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Paket:

TO-252AA

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107mOhm @ 8A, 5V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RFD3055