RFN1LAM6STR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RFN1LAM6STR

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PMDTM

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Beschreibung:

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	35 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	PMDTM
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 600 V
Series	-
Package / Case	SOD-128
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.45 V @ 800 mA
Mfr	Rohm Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	800mA
Base Product Number	RFN1LAM6