RFP10N12L

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

RFP10N12L

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TO-220-3

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Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5A, 5V
Supplier Device Package	TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Bulk