RGT30NS65DGC9

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RGT30NS65DGC9

Hersteller:

Paket:

TO-262

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262

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Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Test Condition	400V, 15A, 10Ohm, 15V
Input Type	Standard
Reverse Recovery Time (trr)	55 ns
Switching Energy	-
Current - Collector (Ic) (Max)	30 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Td (on/off) @ 25°C	18ns/64ns
Supplier Device Package	TO-262
Current - Collector Pulsed (Icm)	45 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 15A
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge	32 nC
Power - Max	133 W
Mfr	Rohm Semiconductor
Package	Tube
IGBT Type	Trench Field Stop
Base Product Number	RGT30