RJK03E1DNS-00#J5

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

RJK03E1DNS-00#J5

Hersteller:

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8-HWSON (3.3x3.3)

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Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.7 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package	8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	15W (Tc)
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta)
Package	Bulk