RJK0701DPN-E0#T2

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

RJK0701DPN-E0#T2

Hersteller:

Paket:

TO-220AB

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Package	Tube