RJK0852DPB-00#J5

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

RJK0852DPB-00#J5

Hersteller:

Paket:

LFPAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	55W (Tc)
Package / Case	SC-100, SOT-669
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)