RJK6013DPP-E0#T2

Renesas

Produkt-Nr.:

RJK6013DPP-E0#T2

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TO-220FP

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RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk