RQ3C150BCTB

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RQ3C150BCTB

Hersteller:

Paket:

8-HSMT (3.2x3)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	20W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ3C150