RQ7E100ATTCR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RQ7E100ATTCR

Hersteller:

Paket:

TSMT8

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ7E100