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RQA0002DNSTB-E

Renesas

Produkt-Nr.:

RQA0002DNSTB-E

Hersteller:

Renesas

Paket:

2-HWSON (5x4)

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 102 pF @ 0 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package 2-HWSON (5x4)
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Series -
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Package / Case 3-DFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Renesas
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
Vgs (Max) ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Package Bulk