RS1E180BNTB

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RS1E180BNTB

Hersteller:

Paket:

CPT3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package	CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RS1E