RUM002N05T2L

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RUM002N05T2L

Hersteller:

Paket:

VMT3

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Datenblatt:

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MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25 pF @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package	VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	150mW (Ta)
Package / Case	SOT-723
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RUM002