RUQ050N02HZGTR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RUQ050N02HZGTR

Hersteller:

Paket:

TSMT6 (SC-95)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package	TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	950mW (Ta)
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RUQ050