RX3R05BBHC16

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RX3R05BBHC16

Hersteller:

Paket:

TO-220AB

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2150 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	89W (Ta)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	RX3R05