RYC002N05T316

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RYC002N05T316

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SST3

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Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	26 pF @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package	SST3
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	350mW (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RYC002