SCT3105KRC14

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

SCT3105KRC14

Hersteller:

Paket:

TO-247-4L

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 106

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	137mOhm @ 7.6A, 18V
Supplier Device Package	TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 3.81mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	134W
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube
Base Product Number	SCT3105