SCTWA10N120

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

SCTWA10N120

Hersteller:

Paket:

HiP247™ Long Leads

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

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Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690mOhm @ 6A, 20V
Supplier Device Package	HiP247™ Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA (Typ)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	SCTWA10