SE12DLGHM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

SE12DLGHM3/I

Hersteller:

Paket:

SOT-89

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 400V 3.7A SOT89

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	300 ns
Capacitance @ Vr, F	96pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	SOT-89
Current - Reverse Leakage @ Vr	5 µA @ 400 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	TO-243AA
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 12 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	3.7A