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SI1022R-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI1022R-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SC-75A

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta)
Package / Case SC-75, SOT-416
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 330mA (Ta)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI1022