SI1025X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI1025X-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

SC-89 (SOT-563F)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	23pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 15V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	TrenchFET®
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	250mW
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	190mA
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1025