SI1967DH-T1-BE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI1967DH-T1-BE3

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SC-70-6

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	490mOhm @ 910mA, 4.5V
Supplier Device Package	SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	TrenchFET®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta), 1.3A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1967