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SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI3585CDV-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

6-TSOP

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series TrenchFET®
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 1.4W, 1.3W
Mfr Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A, 2.1A
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI3585