SI3590DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI3590DV-T1-E3

Hersteller:

Paket:

6-TSOP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET®
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	830mW
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A, 1.7A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI3590