SI4101DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI4101DY-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-SOIC

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8190 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	203 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	6W (Tc)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25.7A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4101