SI5457DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI5457DC-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

1206-8 ChipFET™

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	5.7W (Tc)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI5457