SI5517DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI5517DU-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® ChipFet Dual

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 8V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® ChipFet Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® ChipFET™ Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	8.3W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI5517