SI6415DQ-T1-BE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI6415DQ-T1-BE3

Hersteller:

Paket:

8-TSSOP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package	8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Package / Case	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)