SI6423DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI6423DQ-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-TSSOP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Supplier Device Package	8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 400µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.05W (Ta)
Package / Case	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.2A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI6423