SICW1000N170A-BP

Micro Commercial Co

Produkt-Nr.:

SICW1000N170A-BP

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TO-247AB

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Beschreibung:

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	124 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.32Ohm @ 1.5A, 20V
Supplier Device Package	TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	69W
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Mfr	Micro Commercial Co
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A
Vgs (Max)	+25V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Package	Bulk
Base Product Number	SICW1000