SIDR170DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIDR170DP-T1-RE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6195 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23.2A (Ta), 95A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIDR170