SIHB24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIHB24N80AE-GE3

Hersteller:

Paket:

D²PAK (TO-263)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1836 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	208W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Package	Tube
Base Product Number	SIHB24